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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSN7002N L6327
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SN7002N L6327 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
SN7002N L6327
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-SN7002N L6327
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
SN7002N.pdf
vorrätig: 4270

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Spezifikation

SN7002N L6327 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - SN7002N L6327 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - SN7002N L6327

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.8V @ 26µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT23  
Serie SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 360mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 45 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA (Ta)  
Grundproduktnummer SN7002N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies SN7002N L6327.

Produkteigenschaften SN7002N L6327 SN7002W L6327 SN7002WH6327XTSA1 SN7002IXTSA1
Artikelnummer SN7002N L6327 SN7002W L6327 SN7002WH6327XTSA1 SN7002IXTSA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verlustleistung (max) 360mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 360mW (Ta)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA (Ta) 230mA (Ta) 230mA (Ta) 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V 5Ohm @ 230mA, 10V 5Ohm @ 230mA, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 45 pF @ 25 V 45 pF @ 25 V 45 pF @ 25 V 32 pF @ 30 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie SIPMOS® SIPMOS® SIPMOS® -
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 1.8V @ 26µA 1.8V @ 26µA 1.8V @ 26µA 1.8V @ 26µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5 nC @ 10 V 1.5 nC @ 10 V 1.5 nC @ 10 V 0.9 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT23 PG-SOT323 PG-SOT323 PG-SOT-23-3
Grundproduktnummer SN7002N SN7002W SN7002 SN7002I

SN7002N L6327 Datenblatt PDF

Laden Sie SN7002N L6327 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für SN7002N L6327 - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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